Analiza si modelarea tranzistoarelor bipolare si circuitelor electronice

Extras din proiect Cum descarc?

Introducere
Tranzistorul reprezinta un tranzistor din siliciu (Si) de tip n-p-n. Realizarea tranzistorului necesita un proces tehnologic special, numit planar. 
Aceasta tehnologie este specifica siliciului constand in efectuarea impurificarilor controlate numai pe o singura fata a plachetelor semiconductoare folosind tehnica litografica si ecranarea cu ajutorul straturilor protectoare si in special a Si02. 
Din punct de vedere constructiv dispozitivele planare sunt caracterizate cuaceea ca toate straturile sunt realizate pe una si aceeasi parte a plachetei, deaceea si electrozii sunt plasati pe aceeasi parte.
In continuare vom prezenta ciclul de fabricare a tranzistorului prin metoda 
planara. Se ia o placheta din Si tip-n, care in structura rezultanta joacarolul de 
colector. Pe aceasta placheta peste prima masca de oxid se efectuiaza difuzia 
acceptorului (de obicei bor) si se primeste stratul p al bazei. Apoi peste adoua masca se face difuzia donorilor (de obicei fosfor) astfel primim stratulemitorului. In sfarsit cu ajutorul celei de-a treia masti de oxid se conecteazacontactele omice din aluminiu la toate cele trei straturi si in continuar esuntlipite la aceste contacte sarmulite subtiri care joaca rolul de picioruse aletranzistorului. Structura unui tranzistor obtinut prin metoda planara este aratata in fig.1.
Fig.1 Structura tranzistorului bipolar obtinut prin metoda planara
Principala caracteristica a metodei planare este universalitatea, ce permite pe unele si aceleasi dispozitive de fabricat tranzistoare cu diferiti parametri.
1. Tehnologia de fabricare a tranzistoarelor bipolare
Tranzistorul este un dispozitiv avand o structura de tip n-p-n sau p-n-p, la care regiunea din mijloc, adica baza trebuie sa fie foarte subtire si putin dotata cu impuritati. Se considera a nota cu E-emitorul, cu B-baza si C-colectorul. 
Pentru faricarea tranzistorului KT337, care este de tip p-n-p, se foloseste metoda epitaxial-planara. Din punct de vedere constructiv dispozitivele epitaxial-planare sunt caracterizate cu aceea ca toate straturile sunt realizate pe una si aceeasi parte a plachetei, deaceea si electrozii sunt plasati pe aceeasi parte. 
Epitaxia reprezinta procesul de crestere a straturilor monocristaline pe placheta cu pastrarea orientarii cristalografice.
Epitaxia ocupa locul intermediar intre procesele de baza si cele ajutatoare. In principiu ea poate garanta formarea neregularitatilor locale, totodata aceasta orientare este slab prelucrata si in timpul de fata epitaxia de obicei se foloseste ca mijloc de a primi plachete in forma straturilor foarte subtiri depuse pe plachete foarte groase.
Procesul epitaxiei pentru siliciu consta in felul urmator. Placheta monocristalina de siliciu se afla in fluxul de hidrogen, continind vapori de compusi ale siliciului cu halogenii (de obicei SiCl4) la temperaturi mari (1200?C si mai sus) la suprafata plachetei se petrece reactia:
SiCl4+2H2=Si+4HCl
in rezultatul careia la suprafata plachetei se depune siliciul curat, iar vaporii de HCl sunt evacuati odata cu fluxul de hidrogen. Statul epitaxial de siliciu monocristalin are aceeasi orintatie cristalografica ca si placheta.
Daca la vaporii de SiCl4 adaugam BBr3 sau PCl3, atunci stratul epitaxial va avea nu conductibilitate proprie dar conductibilitate prin goluri sau prin electroni, dupa care in timpul reactiei chimice in siliciu se introduc atomii acceptori de bor sau atomii donori de fosfor.


Fisiere in arhiva (1):

  • Analiza si modelarea tranzistoarelor bipolare si circuitelor electronice.docx

Imagini din acest proiect Cum descarc?

Bibliografie

1. Dispozitive electronice. Indrumar metodic privind indeplinirea tezei de an. N.Bejan, P.Nistriuc, O.Drahnea -  Chisinau, UTM, 2005.
2. Dispozitive electronice. Ghid de la lucrari practice. Partea I. N.Bejan, P.Nistriuc, A.Masnic -  Chisinau, UTM, 2007.
3. Zamfir V. Bazele radioelectronicii. -  Timisoara: Facla, 1987. 
4. https://www.schemeelectronice.com/311/amplificator-putere-40w-tda2030-bd711-bd712/
5. https://electronicsproject.org/doorbell-circuit/
6. https://www.electronics-notes.com/
7. http://talkingelectronics.com/


Banii inapoi garantat!

Plateste in siguranta cu cardul bancar si beneficiezi de garantia 200% din partea Proiecte.ro.


Descarca aceast proiect cu doar 5 €

Simplu si rapid in doar 2 pasi: completezi adresa de email si platesti.

1. Numele, Prenumele si adresa de email:

Pe adresa de email specificata vei primi link-ul de descarcare, nr. comenzii si factura (la plata cu cardul). Daca nu gasesti email-ul, verifica si directoarele spam, junk sau toate mesajele.

2. Alege modalitatea de plata preferata:



* La pretul afisat se adauga 19% TVA.


Hopa sus!