Elaborarea Tehnologiei de Confecționare a Circuitului Integrat CDB 411 HE

1. Sartcina proiectului: Proiectarea circuitului integrat logic, efectuarea tehnologiei circuitului, fişa tehnologică, şi descrierea încapsulării circuitului.

2. Analiza C.I. CDB 411 HE

Analiza schemei de principiu a C.I. CDB 411 HE

Schema electrica:

Tabelul de adevăr Y=A*B*C

A B C Y

0 X X 0

X 0 X 0

X X 0 0

1 1 1 1

Datele de paşaport:

Caracteristici principale :

Tip capsulă Temp. De funcţ. Fan-out Vcc

min max

CDB 411 HE TO116 0oC +70oC 10 4,75 5,25

Caracteristice electrice:

Simbol Parametri Opţiuni de test min max Unităţi

VIH Tensiune de intrare în stare „1” Vcc min

Vo<2.4V 2 V

VIL Tensiune de intrare în stare „0” Vcc min

Vo <0.4V 0,8 V

IIH Curent de intrare în stare „1” Vcc max

VI=2.4V 50 µA

IIR Curent de intrare cu tensiune VI=5,5V Vcc max

VI =5.5V 1 mA

-IIL Curent de intrare în stare „0” Vcc max

VI =0.4V 2 mA

VOH Tensiune de ieşire în stare „1” Vcc min

VI =02V

-Io=1mA 2,4 V

VOL Tensiune de ieşire în stare „0” Vcc min

VI Vil

Io=20mA 0,4 V

Calculul puterii de disipare a rezistoarelor :

Pentru a determina puterea de disipare se foloseste schema echivalenta:

1.Calculul rezistentei totale:

Rezistentele R1,2 ,4,6 sint in paralel si rezistenta totala a lor se calculeaza dupa formula urmatoare:

R=

Rezistentele R3,5,7 sint in paralel si rezistenta totala a lor se calculeaza dupa formula urmatoare:

R=

2.Calculul tensiunilor:

Curentul se calculeaza dupa formula:

Calculul caderii de tensiune pe rezistente.