Tranzistorului Bipolar KT202

Cuprins proiect Cum descarc?

1. Tehnologia de fabricare a tranzistorului bipolar KT202 .
2. Procedee fizice în tranzistorul bipolar.
3. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar în cuplaj emitor comun,bază comună şi colector comun.
4. Analiza schemelor echivalente ale tranzist bipolar.
5. Parametrii H pentru tranzistorul bipolar.
6. Funcţionarea tranzistorului bipolar la frecvenţe înalte.
7. Funcţionarea tranzistroului bipolarîn regim de comutaţie. 
8. Modelul matematic al tranzistroului bipolar.
9. Ridicarea parametrilor tranzistorului bipolar.
10.Utilizarea tranzistoarelor bipolare în circuitele electronice (se analizează trei scheme de principiu care conţin tranzistoare din clasa dată).
11.Să se rezolve conform variantei problemele respective din îndrumarul la proiectarea de an referitoare la selectarea regimului de funcţionare a tranzistoarelor.
12.Conform sarcinii primite de la profesor să se proiecteze un amplificator de audiofrecvenţă (2 variante – cu şi fără transformator).


Extras din proiect Cum descarc?

1.Tehnologia de fabricare a tranzistorului KT202.
Tranzistorul este un dispozitiv având o structură de tip n-p-n sau p-n-p, la care regiunea din mijloc, adică baza trebuie să fie foarte subţire şi puţin dotată cu impurităţi. Se consideră a nota cu E-emitorul, cu B-baza şi C-colectorul. 
Pentru faricarea tranzistorului KT202, care este de tip p-n-p, se foloseşte metoda epitaxial-planară. Din punct de vedere constructiv dispozitivele epitaxial-planare sunt caracterizate cu aceea că toate straturile sunt realizate pe una şi aceeaşi parte a plachetei, deaceea şi electrozii sunt plasaţi pe aceeaşi parte. 
Epitaxia reprezintă procesul de creştere a straturilor monocristaline pe plachetă cu păstrarea orientării cristalografice.
Epitaxia ocupă locul intermediar între procesele de bază şi cele ajutătoare. În principiu ea poate garanta formarea neregularităţilor locale, totodată această orientare este slab prelucrată şi în timpul de faţă epitaxia de obicei se foloseşte ca mijloc de a primi plachete în forma straturilor foarte subţiri depuse pe plachete foarte groase.
Procesul epitaxiei pentru siliciu constă în felul următor. Placheta monocristalină de siliciu se află în fluxul de hidrogen, conţinînd vapori de compuşi ale siliciului cu halogenii (de obicei SiCl4) la temperaturi mari (1200C şi mai sus) la suprafaţa plachetei se petrece reacţia:
SiCl4+2H2=Si+4HCl
în rezultatul căreia la suprafaţa plachetei se depune siliciul curat, iar vaporii de HCl sunt evacuaţi odată cu fluxul de hidrogen. Statul epitaxial de siliciu monocristalin are aceeaşi orintaţie cristalografică ca şi placheta.
Dacă la vaporii de SiCl4 adăugăm BBr3 sau PCl3, atunci stratul epitaxial va avea nu conductibilitate proprie dar conductibilitate prin goluri sau prin electroni, după care în timpul reacţiei chimice în siliciu se întroduc atomii acceptori de bor sau atomii donori de fosfor.
În aşa mod, epitaxia permite creşterea straturilor monocristaline de conductibilitate şi rezistenţă diferite pe plachetă, avînd aceeaşi parametri.
Graniţa între stratul epitaxial şi plachetă nu este ideală, deoarece în procesul de epitaxie are loc difuzia între atomii de la suprafaţă a plachetei şi atomii din stratul epitaxial. De aceea prin epitaxie nu se poate de depus mai multe straturi. Cu ajutorul epitaxiei se poate de depus pe plachetă un strat foarte subţire (1m) ce nu este posibil de depus prin celelalte tehnologii. 
2. Procedee fizice în tranzistorul bipolar cu structura p-n-p.
Pentru a descrie procesele fizice ce au loc în tranzistor să analizăm, în linii 
generale principiul de funcţionare al unui model simplificat al tranzistorului. În calitate de acest model vom lua un tranzistor p-n-p, confecţionat prin aliere, cuplat în schema cu bază comună. Vom considera că concentraţiile impurităţilor în emitor şi colector sînt aproximativ egale ( ), iar concentraţa impurităţilor în regiunea bazei este cu mult mai mică ( ).


Fisiere în arhivă (2):

  • Continut.DOC
  • Tranzistorului Bipolar KT202.doc

Imagini din acest proiect Cum descarc?

Banii înapoi garantat!

Plătește în siguranță cu cardul și beneficiezi de garanția 200% din partea Proiecte.ro.


Descarcă acest proiect cu doar 5€

Simplu și rapid în doar 2 pași: completezi datele tale și plătești.

1. Numele și adresa de email:

ex. Andrei, Oana
ex. Popescu, Ionescu

* Pe adresa de email specificată vei primi link-ul de descărcare. Asigură-te că adresa este corectă și că poate primi email-uri.

2. Alege modalitatea de plată preferată:



* La pretul afișat se adaugă 19% TVA.


Hopa sus!