Tranzistorului Bipolar KT202

Cuprins proiect Cum descarc?

1. Tehnologia de fabricare a tranzistorului bipolar KT202 .
2. Procedee fizice in tranzistorul bipolar.
3. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar in cuplaj emitor comun,baza comuna si colector comun.
4. Analiza schemelor echivalente ale tranzist bipolar.
5. Parametrii H pentru tranzistorul bipolar.
6. Functionarea tranzistorului bipolar la frecvente inalte.
7. Functionarea tranzistroului bipolarin regim de comutatie. 
8. Modelul matematic al tranzistroului bipolar.
9. Ridicarea parametrilor tranzistorului bipolar.
10.Utilizarea tranzistoarelor bipolare in circuitele electronice (se analizeaza trei scheme de principiu care contin tranzistoare din clasa data).
11.Sa se rezolve conform variantei problemele respective din indrumarul la proiectarea de an referitoare la selectarea regimului de functionare a tranzistoarelor.
12.Conform sarcinii primite de la profesor sa se proiecteze un amplificator de audiofrecventa (2 variante - cu si fara transformator).


Extras din proiect Cum descarc?

1.Tehnologia de fabricare a tranzistorului KT202.
Tranzistorul este un dispozitiv avand o structura de tip n-p-n sau p-n-p, la care regiunea din mijloc, adica baza trebuie sa fie foarte subtire si putin dotata cu impuritati. Se considera a nota cu E-emitorul, cu B-baza si C-colectorul. 
Pentru faricarea tranzistorului KT202, care este de tip p-n-p, se foloseste metoda epitaxial-planara. Din punct de vedere constructiv dispozitivele epitaxial-planare sunt caracterizate cu aceea ca toate straturile sunt realizate pe una si aceeasi parte a plachetei, deaceea si electrozii sunt plasati pe aceeasi parte. 
Epitaxia reprezinta procesul de crestere a straturilor monocristaline pe placheta cu pastrarea orientarii cristalografice.
Epitaxia ocupa locul intermediar intre procesele de baza si cele ajutatoare. In principiu ea poate garanta formarea neregularitatilor locale, totodata aceasta orientare este slab prelucrata si in timpul de fata epitaxia de obicei se foloseste ca mijloc de a primi plachete in forma straturilor foarte subtiri depuse pe plachete foarte groase.
Procesul epitaxiei pentru siliciu consta in felul urmator. Placheta monocristalina de siliciu se afla in fluxul de hidrogen, continind vapori de compusi ale siliciului cu halogenii (de obicei SiCl4) la temperaturi mari (1200?C si mai sus) la suprafata plachetei se petrece reactia:
SiCl4+2H2=Si+4HCl
in rezultatul careia la suprafata plachetei se depune siliciul curat, iar vaporii de HCl sunt evacuati odata cu fluxul de hidrogen. Statul epitaxial de siliciu monocristalin are aceeasi orintatie cristalografica ca si placheta.
Daca la vaporii de SiCl4 adaugam BBr3 sau PCl3, atunci stratul epitaxial va avea nu conductibilitate proprie dar conductibilitate prin goluri sau prin electroni, dupa care in timpul reactiei chimice in siliciu se introduc atomii acceptori de bor sau atomii donori de fosfor.
In asa mod, epitaxia permite cresterea straturilor monocristaline de conductibilitate si rezistenta diferite pe placheta, avind aceeasi parametri.
Granita intre stratul epitaxial si placheta nu este ideala, deoarece in procesul de epitaxie are loc difuzia intre atomii de la suprafata a plachetei si atomii din stratul epitaxial. De aceea prin epitaxie nu se poate de depus mai multe straturi. Cu ajutorul epitaxiei se poate de depus pe placheta un strat foarte subtire (?1?m) ce nu este posibil de depus prin celelalte tehnologii. 
2. Procedee fizice in tranzistorul bipolar cu structura p-n-p.
Pentru a descrie procesele fizice ce au loc in tranzistor sa analizam, in linii 
generale principiul de functionare al unui model simplificat al tranzistorului. In calitate de acest model vom lua un tranzistor p-n-p, confectionat prin aliere, cuplat in schema cu baza comuna. Vom considera ca concentratiile impuritatilor in emitor si colector sint aproximativ egale ( ), iar concentrata impuritatilor in regiunea bazei este cu mult mai mica ( ).


Fisiere in arhiva (2):

  • Continut.DOC
  • Tranzistorului Bipolar KT202.doc

Imagini din acest proiect Cum descarc?

Banii inapoi garantat!

Plateste in siguranta cu cardul bancar si beneficiezi de garantia 200% din partea Proiecte.ro.


Descarca aceast proiect cu doar 5 €

Simplu si rapid in doar 2 pasi: completezi adresa de email si platesti.

1. Numele, Prenumele si adresa de email:

Pe adresa de email specificata vei primi link-ul de descarcare, nr. comenzii si factura (la plata cu cardul). Daca nu gasesti email-ul, verifica si directoarele spam, junk sau toate mesajele.

2. Alege modalitatea de plata preferata:



* Pretul este fara TVA.


Hopa sus!