Diode Semiconductoare

Extras din proiect Cum descarc?

ARGUMENT
Diodele semiconductoare reprezinta o categorie foarte importanta de componente electronice. Ele sunt utilizate in foarte multe scheme electrice si electronice.
Studiul acestor diode m-a ajutat sa-mi aprofundez cunostintele necesare pentru a le putea folosi in diverse scheme.
Pregatirea profesionala intra adeseori in contact cu acest tip de diode semiconductoare si de aceea este obligatorie cunoasterea constructiei, functionarii si a diverselor utilizari ale acestor diode.
Prin realizarea acestui proiect am consultat o bibliografie prin care mi-am largit cunostintele in studiul diodelor semiconductoare. De aceea, acest proiect va constitui un bogat material de studiu pentru elevii dornici de a se specializa in domeniul electronicii si a automatizarilor.
CAP. I MATERIALE SEMICONDUCTOARE 
I.1 Definitie
Materialele semiconductoare sunt acele materiale care au rezistivitatea cuprinsa intre 10-6 si 108 ?m, adica intre cea a conductorilor si cea a izolantilor. Au coeficientul de temperatura al rezistivitatii negativ in domenii largi ale temperaturii, proprietate utilizata in numeroase aplicatii practice. De asemenea, isi modifica proprietatea sub actiunea luminii, temperaturii, campului electric si magnetic, a solicitarilor mecanice.
I.2. Clasificare
Pentru inceput, ne fixam atentia asupra semiconductorului pur, denumit si intrinsec, care la temperaturi scazute se comporta ca un izolator. Daca temperatura creste, chiar numai pana la temperatura ambianta (considerata 300 K) conductivitatea electrica creste la 4 ? 10-3 s /m pentru siliciu si chiar la 2,1 s/m pentru germaniu. Pe masura ce temperatura creste, miscarea termica se intensifica si ca urmare, anumiti electroni dobandesc energii suficiente pentru a putea trece in banda de conductie. Acest proces are o serie de consecinte pe care le vom discuta in ordinea lor. 
In primul rand s-a obtinut un electron liber, dar pe seama distrugerii unei legaturi covalente. Ruperea legaturii covalente lasa insa un loc vacant care poate fi ocupat de un electron; acest loc vacant il numim si gol. In structura de benzi este indicata perechea unui electron-gol, deoarece observam ca generarea unui electron liber este automat insotita de generarea unui gol. Atomul transformat intr-un ion pozitiv "duce dorul " electronului pierdut pe care il recupereaza de la un atom invecinat. In acest fel, atat golul cat si excedentul de o sarcina elementara a atomului invecinat. La randul sau, acesta va proceda la fel cu un alt atom invecinat.
Deplasarea golurilor este efectul deplasarii in sens opus al electronilor de valenta, adica a unor electroni legati de atomi.
CAP. II FUNCTIONAREA DIODEI SEMICONDUCOARE
II.1 JONCTIUNEA p-n
Daca intr-un acelasi cristal se creeaza prin impurificare, de o parte si de alta a unei suprafete de separatie, doua regiuni de tip opus - una p si cealalta n - se spune ca s-a obtinut o jonctiune p-n. Aceasta jonctiune nu se poate obtine prin alipirea a doua regiuni impurificate de tip p si respectiv n, deoarece in structura cubica a cristalelor de Ge si Si ordinul de marime a distantelor interatomice este 10-10 m si metodele tehnologice actuale nu permit inca o alipire care sa dea intre cele doua regiuni distante mai mici decat aceasta dimensiune. In aceste conditii fenomenele de trecere dintr-o zona in alta a purtatorilor de sarcina ar fi impiedicate, cele doua regiuni ramanand astfel izolate.
Studiul jonctiunii p-n se face in trei situatii: considerand jonctiunea libera (nepolarizata), aplicandu-i-se o tensiune de polarizare directa si in cazul unei polarizari inverse.
II.2 JONCTIUNEA P-N LIBERA (NEPOLARIZATA)
Examinand fenomenele ce apar in cazul unei jonctiuni p-n, careia nu i se aplica tensiune exterioara (fig. II.1),se constata initial purtatorii majoritari (goluri - in regiunea p si electroni in regiunea n)au tendinta de a trece din propria lor regiune (cu concentratie mare) in regiunea vecina (cu concentratie scazuta).In regiunea alaturata purtatorii intalnesc purtatorii intalnesc purtatori de tip opus cu care se combina neutralizandu-se reciproc. In felul acesta, de o parte si alta a suprafetei de separatie se formeaza o regiune ,, saracita ,, de sarcini libere numita regiune de trecere, avand o latime de ordinul micronilor (10-6 m).


Fisiere in arhiva (1):

  • Diode Semiconductoare.doc

Imagini din acest proiect Cum descarc?

Banii inapoi garantat!

Plateste in siguranta cu cardul bancar si beneficiezi de garantia 200% din partea Proiecte.ro.


Descarca aceast proiect cu doar 5 €

Simplu si rapid in doar 2 pasi: completezi adresa de email si platesti.

1. Numele, Prenumele si adresa de email:

Pe adresa de email specificata vei primi link-ul de descarcare, nr. comenzii si factura (la plata cu cardul). Daca nu gasesti email-ul, verifica si directoarele spam, junk sau toate mesajele.

2. Alege modalitatea de plata preferata:



* Pretul este fara TVA.


Hopa sus!