Semiconductoare de Putere

Cuprins proiect Cum descarc?

Argument 4
I. JONCTIUNEA PN 5
I.1 Jonctiunea pn nepolarizata 5
I.2 Jonctiunea pn polarizata direct (figura 2,a) 6
I.3 Jonctiunea pn polarizata invers (figura 2,b) 7
II. ELEMENTE SEMICONDUCTOARE NECOMANDATE 9
II.1 Dioda Semiconductoare 9
II.2 Tipuri de diode semiconductoare : 10
II.3 Tranzistoare bipolare 13
II.4 Circuite electrice cu tranzistoare bipolare 14
III. ELEMENTE SEMICONDUCTOARE COMANDATE 15
III.1 Tiristorul 15
III.2 Contactoare Statice 19
III.2.a. Contactoarele statice sunt utilizate 20
III.2.b. Tipuri constructive: 20
NORME DE PROTECTIE A MUNCII 21
Anexa 23
Marcarea si Codificarea Dispozitivelor Semiconductoare Discrete 23
BIBLIOGRAFIE 25


Extras din proiect Cum descarc?

Argument
Indiferent de varsta, copil, adolescent, matur sau batran, amatorul in ale electronicii ramane intotdeauna un tanar cercetator, totdeauna gata de a urma orice cotitura noua a tehnicii electronice pe care o indrageste si care zi de zi ii aduce satisfactii noi.
Inceputul in orice domeniu se face numai cu incredere si entuziasm. Electronica este prezenta pretutindeni, toti profita de serviciile ei, de ,,supletea" ei, de posibilitatile ei. 
Ca domeniu tehnic de o uriasa dezvoltare, electronica a cunoscut in ultimii zeci de ani modificari de care au profitat si multe alte domenii: medicina, fizica nucleara, optica moderna si cercetarea stiintifica, intrepatrunse de folosirea diverselor procedee electronice, de investigatiile stiintifice si utilizarea tehnicilor respective care se intensifica pe zi ce trece. De aceea, oricare ar fi cei care sunt pasionati in orice domeniu se impune a fi macar buni cunoscatori al tehnicii electronice.
Amatorul electronist stie ce inseamna increderea in tehnica si entuziasmul sau este, poate, mai apropiat de realitatea realizarilor concrete, decat altii care fac amatorism in alte domenii.
O categorie importanta de dispozitive semiconductoare, utilizata in electrotehnica, energetica, automatica si electronica industriala, o constituie dispozitivele semiconductoare de putere. 
Acesta este motivul pentru care am ales sa fac asest proiect, deoarece sunt un tanar amator al electotehnicii plin de incredere si entuziasm. 
In lucrerea de fata imi propun sa tratez una dintre cele mai importante categoriile ale dispozitivelor semiconductoare si anume ,,Dispozitive Semiconductoare de Putere" care da si numele proiectului.
Am structurat proiectul pe patru capitole (,,Jonctiunea PN", ,,Diode Semiconductoare", ,,Tranzistorul Bipolar", ,,Tiristoare"), dar cuprinde si Norme de Protectie a Muncii precum si cateva anexe cu Marcari si Codificari a Dispozitivelor Semiconductoare Discrete. 
Chiar daca nu am inventat nimic din datele acestui proiect, marturisesc ca am reusit macar sa cercetez acest domeniu vast al semiconductoarelor, iar planificarea acstui proiect , sunt convins ca ma va ajuta in multe privinte in viata care ma asteapta.
CAPITOLUL I
I. JONCTIUNEA PN
I.1 Jonctiunea pn nepolarizata
Jonctiunea pn reprezinta zona de contact dintre doua cristale semiconductoare, unul de tip p si unul de tip n, avand o grosime foarte mica, de circa 10-8...10-6 m; datorita faptului ca in zona ei se creaza un camp electric intern, se obtine o bariera de potential, al carui efect principal consta in modificarea rezistentei de trecere a jonctiunii, in functie de polarizarea exterioara a terminalelor cristalelor.
In figura 1. se arata schematic etapele de realizare a unei jonctiuni pn, din doua cristale alaturate , unul de tip p (ce contine ioni acceptori notati A- si purtatori pozitivi sau goluri) si unul de tip n (ce contine ioni donori D+ si purtatori negativi, adica electroni liberi). Dupa cum se vede in figura 1, a, ambele cristale sunt neutre din punct de vedere electric, iar in interiorul lor electronii si golurile au o miscare dezordonata.
In momentul lipirii fetelor cristalelor ( figura 1, b), datorita efectului de difuzie, in primul moment electronii din cristalul de tip n tind sa treaca in cristalul de tip p, iar golurile cristalului de tip p tind sa treaca in cristalul de tip n, zona de difuzie avand o latime de circa 10-5...10-4 m.
Rezulta (figura 1, c) ca de o parte si de alta a suprafetei de separatie apar doua regiuni incarcate, una cu sarcina negativa (in cristalul de tip p), si alta cu sarcina pozitiva (in cristalul de tip n). In cele doua sarcini egale si de semn contrar, se stabileste un camp electric intern E orientat dinspre cristalul de tip n catre cel de tip p.
Dupa momentul impurificarii celor doua regiuni ale semicunductoarelor se realizeaza difuzia de majoritari din imediata apropiere a jonctiunii care intalninduse se recombina rezultand o regiune saracita de sarcini electrice, caracterizata si printr-un camp electric intern notat UO orientat de la n la p
p n p n p n
a b c
atom acceptor ionizat; atom donor izotop; ,,gol" electron ,,liber"
fig. 1. Realizarea jonctiunii pn
I.2 Jonctiunea pn polarizata direct (figura 2,a)
Peste campul electric intern UO se suprapune in sens opus campul electric extern U si rezulta o mixorare a latimii regiunii de trecere. Astfel majoritarii din p (golurile) trec in n si majoritarii din n (electronii) trec in p. Suma algebrica a celor doi curenti de difuzie formeaza un singur curent indreptat de la p la n numit curent direct. El are valori mari(miliA).
Concluzie :
Jonctiunea pn polarizata direct lasa sa treaca prin ea un curent mare, comportanduse ca un intreruptor inchis.


Fisiere in arhiva (1):

  • Semiconductoare de Putere.doc

Imagini din acest proiect Cum descarc?

Banii inapoi garantat!

Plateste in siguranta cu cardul bancar si beneficiezi de garantia 200% din partea Proiecte.ro.


Descarca aceast proiect cu doar 5 €

Simplu si rapid in doar 2 pasi: completezi adresa de email si platesti.

1. Numele, Prenumele si adresa de email:

Pe adresa de email specificata vei primi link-ul de descarcare, nr. comenzii si factura (la plata cu cardul). Daca nu gasesti email-ul, verifica si directoarele spam, junk sau toate mesajele.

2. Alege modalitatea de plata preferata:



* La pretul afisat se adauga 19% TVA.


Hopa sus!